化學式:H4Si,它是由1個硅原子與4個氫原子通過硅-氫(Si-H)相連。由于硅原子相對較大的原子半徑和較低的電負性,導致硅烷中的硅-氫(Si-H)鍵較弱。Si-H鍵的鍵能大約在318-384 kJ/mol范圍內,C-H鍵的鍵能通常在413 kJ/mol左右,Si-H鍵能低,意味著化學鍵更容易斷裂,化學性質越活潑。
在常溫常壓下為惡臭的無色有毒氣體。是一種無色、與空氣反應并會引起窒息的氣體,同義名稱是四氫化硅(Silicon hydride)。硅烷的化學式為SiH4,含量高達99.99%。在常溫常壓下,硅烷是一種惡臭的有毒氣體。硅烷的熔點是-185℃,沸點是-112℃。在常溫下,硅烷是穩定的,但在加熱至400℃時,它會完全分解成氣態硅和氫氣。硅烷易燃、易爆,在空氣或鹵素氣體中會發生爆炸性燃燒。在水中緩慢分解,幾乎不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿及四氯化碳等。
硅烷兼具“氣體”和“含硅”兩種特點,通過熱解反應可以生成晶體硅。因為它純度高,并能實現精細控制,因此是許多其他硅源無法取代的重要特殊氣體。硅烷可以被認為是“流動的純凈的硅”,因此,有硅的地方往往就要用到硅烷,包括TFT(薄膜晶體管)/LCD(液晶顯示器)、晶硅太陽能電池、半導體等應用,新興的還有如硅碳負極、先進陶瓷、復合材料、生物材料等諸多領域,硅烷幾乎通吃整個新能源、半導體、新材料行業。
光伏使用的硅烷要求純度達到5N(五個9,即99.999%,以下類似)以上,面板則要求純度達到6N,半導體則要求7-9N以上。當然,純度每提升一級,成本便會如指數般增長。由于光伏N型電池背面采用遂穿氧化層與多晶硅層鈍化接觸結構,因此所需硅烷氣用量較P型電池提升約50%。